tin Anwendung im Gerätebau

Interessieren Sie sich für den Einsatz von Zinn in der Instrumentierung der Zulieferfirma AvecGlob? Hier finden Sie die notwendigen Informationen zu diesem Thema.

Allgemeine Aussage des Problems

Es wird angenommen, dass auf Zinn basierende Legierungen die Funktionalität existierender elektronischer Geräte und Haushaltsgeräte signifikant erhöhen können. Insbesondere nanoskalige Transistoren, bei denen Zinnlegierungen verwendet werden, ermöglichen eine Erleichterung der optischen Kopplung. Daher werden sie zunehmend als Ersatz für Silizium-Germanium-Vorrichtungen verwendet, wo eine effektive Lichtquelle zur Verwendung in Tunnelvorrichtungen benötigt wird.

Theoretische und experimentelle Analyse zeigt, dass der Einschluss von Zinn in die Legierungen des «Germanium-Silicium» -Systems eine direkte Lücke des Gruppe-IV-Halbleiters ergeben kann, wodurch erstmals optische Quellen mit einer direkten Lücke und Tunneln zwischen den Bändern in der Gruppe-IV-Legierung erhalten werden können.

Aufgrund von Unterschieden in chemischen Substanzen und Größen zwischen Silicium- und Germanium-Zinnatomen ist die Einlagerung von Zinn in die fraglichen SiGe-Legierungen jedoch nicht direkt und erfordert spezielle metastabile Wachstumsbedingungen.

Lieferant — AvekGlob Company — bietet verschiedene Arten von Produkten aus Zinn von inländischer und ausländischer Produktion, die den Anforderungen der Standards entspricht. Die Produkte werden zu erschwinglichen Preisen vom Hersteller angeboten. Der Lieferant garantiert die pünktliche Lieferung der Produkte an jede vom Verbraucher angegebene Adresse.

Mechanismus und Perspektiven der Verwendung von Zinn in der elektronischen Technologie

Um Si-kompatible Nanodrähte mit einer Bandlücke aus Elementen der Gruppe IV herzustellen, werden gezüchtete GeSn-Nanodrähte als Plattform für energieeffiziente elektronische Geräte verwendet, die bis zu 10% Zinn enthalten.

Die Legierung aus Germanium und Zinn kann sich wie ein Halbleiter mit einem geraden Schlitz verhalten, wenn nur 6% Zinn in die Legierung eintreten. Diese Ergebnisse bilden eine vielversprechende Grundlage für die Entwicklung und Demonstration von elektronischen und optischen Bauelementen auf der Basis von Zinn-Germanium und Silizium-Zinn-Germanium-Legierungen.

Die Herstellung von Vorrichtungen, die die beschriebenen Nanodrähte enthalten, befindet sich in der experimentellen Entwicklungsstufe, da sich die Eigenschaften herkömmlicher Legierungen, wie Si-Ge-Sn, mit der Zusammensetzung von Zinn in der Legierung glatt ändern. Daher können sie als ein virtueller Kristall betrachtet werden, wobei jedes Atom die durchschnittlichen Eigenschaften der Hauptkomponenten annimmt.

Daher besteht das ultimative Ziel der Verwendung von Zinn und seinen Legierungen in der Gerätetechnik darin, Geräte zu entwickeln, die auf unterschiedlichen Längenskalen arbeiten, so dass Sie elektronische Eigenschaften von der atomaren Ebene bis zur vollständigen Gerätemodellierung konsistent beschreiben können.

Die Entwicklung von SiGeSn-Legierungen mit direkten Bandlücken ermöglicht eine effiziente optische Absorption und Strahlung von Silizium-basierten Legierungen. Dies wiederum ermöglicht es, die spezifische Absorptionsleistung zu reduzieren, um die Effizienz von Mehrkomponentensolarzellen, die auf Germaniumelementen wachsen, zu optimieren.

Lieferant — AvekGlob Company — bietet an, Zinn in einer breiten Palette von Profilen und technologischen Anwendungen zu kaufen. Produkte können zu einem Preis gekauft werden, der auf der Grundlage europäischer und internationaler Standards gebildet wird. Die Umsetzung ist in Bulk und Retail möglich, für Stammkunden läuft ein flexibles Rabattsystem.